介绍先进的概念包括产生复合、热电子效应和击穿机制；小交流特性的基本特征、p-n结、双极晶体管和MOS晶体管的开关和瞬态行为；器件建模的基本问题；Si器件的前景和局限性。

3个本科学时。3个研究生学时。先修课程：ECE 340。